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| FET 功能 | 逻辑电平门 |
|---|---|
| FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | - |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 105pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 1.4nC @ 4V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | 230 毫欧 @ 800mA,4V |
| 供应商器件封装 | 6-MCPH |
| 功率 - 最大值 | 800mW |
| 包装 | 带卷 (TR)可替代的包装 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-SMD,扁平引线 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 1.6A,1A |
| 系列 | - |
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