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| FET 功能 | 逻辑电平门 |
|---|---|
| FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 470pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 10nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 50 毫欧 @ 2A，10V |
| 供应商器件封装 | VS-8（2.9x1.9） |
| 功率 - 最大值 | 530mW |
| 包装 | 带卷 (TR)可替代的包装 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 4A，3.2A |
| 系列 | - |
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