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IPG20N06S2L-65-ND
- 型号 :
- IPG20N06S2L-65
- 制造商 :
- Infineon Technologies
- 批号 :
- -
- 简介 :
- MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
- PDF :
- 库存 :
- 0
- 货期 :
- -
没有库存
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
|---|---|
| FET 类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 14µA |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 410pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 65 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8-4（5.15x6.15） |
| 功率 - 最大值 | 43W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 漏源极电压 (Vdss) | 55V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 20A |
| 系列 | OptiMOS™ |
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