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SI8900EDB-T2-E1TR-ND
- 型号 :
- SI8900EDB-T2-E1
- 制造商 :
- Vishay Siliconix
- 批号 :
- -
- 简介 :
- MOSFET BIDIR N-CH 20V 2X5 10-MFP
- PDF :
- 库存 :
- 0
- 货期 :
- -
没有库存
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
|---|---|
| FET 类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1.1mA |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 24 毫欧 @ 1A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 10-Micro Foot™（2x5） |
| 功率 - 最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 10-UFBGA，CSPBGA |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 5.4A |
| 系列 | TrenchFET® |
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