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SH8M4TB1DKR-ND
- 型号 :
- SH8M4TB1
- 制造商 :
- Rohm Semiconductor
- 批号 :
- -
- 简介 :
- MOSFET N+P 30V 9A/7A 8-SOIC
- PDF :
- 库存 :
- 14038
- 货期 :
- -
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
|---|---|
| FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1190pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 15nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 18 毫欧 @ 9A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 功率 - 最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel®可替代的包装 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 9A，7A |
| 系列 | - |
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