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QS6J11TR-ND
- 型号 :
- QS6J11TR
- 制造商 :
- Rohm Semiconductor
- 批号 :
- -
- 简介 :
- MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
- PDF :
- 库存 :
- 3000
- 货期 :
- -
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
|---|---|
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 770pF @ 6V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 6.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 105 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 供应商器件封装 | TSMT6 |
| 功率 - 最大值 | 600mW |
| 包装 | 带卷 (TR)可替代的包装 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 12V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 2A |
| 系列 | - |
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